1、晶向均匀性1晶格匹配度 2 基片温度 3蒸发速率 要想熟悉产品,必须熟悉原理,原理如下磁控溅射原理在被溅射的靶极阴极与阳极之间加一个正交磁场和电场,在高真空室中充入所需要的惰性气体通常为Ar气,永久磁铁在靶材料表面形成250~350高斯的磁场,同高压电场组成正交电磁场在电场的;若要彻底杜绝靶中毒,必须用中频电源或射频电源代替直流电源减少反应气体的通入量提高溅射功率,清理靶材上的污染物特别是油污选用真空性能好的防尘灭弧罩等方法均可有效防止靶中毒现象的发生靶材内冷却水浸泡的磁铁,有污渍,只要磁场强度足够,冷却效果良好,对靶材影响不大;温度才是影响磁铁的因素,如果你的冷却效果好 理论上可以用到地老天荒 如果磁铁不腐蚀的话,而温度取决于磁铁牌号 也就是磁铁本身的耐温性能 一般磁控溅射选的是耐温120度 或者150度的 即便如此温度也不宜太高 通常冷却水温度不宜高过40度,如果温度过高 就会出现退磁现象 也就是你说的。
2、溅射靶材的温度取决于能量的高低,举例1气压,功率5KW,偏压0靶材表面温度为200度左右,基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw,靶材表面温度会接近400度,基片会达到150度左右,我说的基片距离靶材有10厘米左右~此时热量为热辐射传热,离靶材远的地方辐射相对小,温度就低一点~;不论铜靶的溅射方式是平衡磁控溅射还是非平衡磁控溅射,都存在中间分散,两头集中的现象这样靶材两端磁场很强,束缚的自由电子要比靶材中间的部分多很多溅射速率也就多了时间长了就会形成凹槽状两端的磁场强度减弱是一种解决方案,但是需要根据经验调节,一般为磁性为靶材中间部分磁铁的12靶材两端。
3、磁控溅射是一种常用的物理气相沉积PVD的方法,具有沉积温度低沉积速度快所沉积的薄膜均匀性好,成分接近靶材成分等众多优点传统的溅射技术的工作原理是在高真空的条件下,入射离子Ar+在电场的作用下轰击靶材,使得靶材表面的中性原子或分子获得足够动能脱离靶材表面,沉积在基片表面形成薄膜;1oe奥斯特=1×104Wb·m2=1×104T特斯拉=1G高斯镀膜种类不同,靶极距不同,磁场的聚集程度不同,磁场强度的要求可以不同,一般在40特斯拉到500特斯拉之间不明白你问“某一点的磁力测试以多长时间测试为佳?”是什么意思如果你怀疑有退磁,那就测一下了,没有固定要求。
4、1 直流磁控溅射直流磁控溅射是最基本的磁控溅射方式其工作原理是,利用直流电源对靶材加正电压,产生离子轰击,同时在靶材表面施加磁场进行引导,使得离子轰击靶材表面时产生的原子或分子向衬底沉积这种技术适合制备金属薄膜和多元化合物薄膜2 射频磁控溅射射频磁控溅射是利用高频交流电源产生电场。
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